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我稀贵金属溅射靶材制备打破国外垄断

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2018-12-03 07:41  来源:科技日报  
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  记者从昆明贵金属研究所获悉,该所下属的云南省贵金属材料重点实验室研发团队,近期在电子信息产业用稀贵金属溅射靶材的关键制备技术及工程化应用研究中取得重大突破,成功研发出系列稀贵金属溅射靶材。

  据了解,稀贵金属薄膜是在电子信息产业起核心支撑作用的战略性材料,溅射靶材是制备薄膜的关键材料源。此前,高端稀贵金属靶材的制备主要集中在日本、美国、德国等国家。

  在该实验室主任胡昌义带领下,研究团队针对稀贵金属溅射靶长期被工业发达国家垄断的局面,采用熔炼及塑性加工法,制备了铂镍、钴铬铂硼等靶材,采用粉末冶金法制备了钌及钴铬铂二氧化硅靶;还开发了铂镍靶微组织择优取向控制技术、高纯钌靶批量制备技术、脆性靶材的成分控制及缺陷控制技术、含氧化物靶材的相界面结合控制技术。

  这个团队通过新技术攻关和应用,实现了靶材产品主要性能指标靶材纯度质量百分比大于等于99.995、靶材主成分质量百分比偏差在正负0.5以内、靶材密度大于等于98.5%、靶材与背板焊合率大于等于98.5%。这一系列研发成果打破了国外垄断,实现了同类产品可替代进口,并出口至美国著名半导体公司。

  在研发进程中,他们还申请25件专利,授权11件,制定行业标准1项,发表论文66篇,“高性能难加工稀贵金属材料短流程制备关键技术及产品开发”项目日前荣获2018年中国有色金属工业科技进步一等奖。


(责任编辑:东北科技)
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